高温200℃,高稳定性,低漏电，低ESR和ESL，零温漂,小

IPDIA公司2009年成立于法国卡昂，IPDIA有*特的研发技术，提供**，高稳定性及高**性硅无源器件。
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以下是HTSC 高温硅电容（-55℃to + 200℃）系列：

由于*特的IPDIA硅电容技术，多数要求苛刻的应用领域遇到的问题现在都可以解决。高温硅电容的重要参数是，温度高达200℃，且性能稳定。电容的集成能力（250nF/mm2）提供的容值与X7R电解质获得的容值类似。但在相同温度200℃下，优于COG/NPO电解质的性能。HTSC在-55-200℃全温范围内提供高稳定性，温漂系数低于1%。主要优势有：
?	宽温范围，低温漂。（温度高达200℃）
?	高稳定性（电压无降额，且宽温范围内，几乎0温漂）
?	低漏电流（MLCC & Tantalum capacitor ?Ileak<10μA ，PICS capacitor: Ileak<1nA ）
?	非常低的ESR和ESR（MAX 100 pH）（MAX 400mΩ）
?	相关参数
参数	数值
容值	100 pF to 1ｕF
老化	0.001%/每十年
等效串联电感	 MAX 100 pH
等效串联电阻	MAX 400mΩ
绝缘电阻	50Ω min,RVDC,25℃；
20Ω min,RVDC,200℃
温度系数	<±1%  from -55℃ to  +200℃
操作温度	-55℃ to+200℃
存储温度	-70℃ to+215℃
电容厚度	MAX 400um


还有以下几个系列电容
XTSC极限高温硅电容（-55℃to + 250℃）
LPSC**薄硅电容(-55℃to + 150℃)
HSSC高稳定性硅电容（-55℃to + 150℃）
EMSC嵌入式电容（-55℃to + 150℃）
WBSC绑定式电容（-55℃to + 150℃）

 产品应用领域：
雷达、射频通信、导弹、微机电系统
 石油勘探
石油钻井
石油测井
井下仪器，设备
高端传感器系统小型化
卫星
微波系统
无线功率传输
微纳米飞船，设备
*雷达及雷达模块
马达控制  
无线电通信
起落架
 
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