供应无温漂，高温高**，低漏电流电容器

HTSC 高温硅电容（-55℃to + 200℃）
由于*特的IPDIA硅电容技术，多数要求苛刻的应用领域遇到的问题现在都可以解决。高温硅电容的重要参数是，温度高达200℃，且性能稳定。电容的集成能力（250nF/mm2）提供的容值与X7R电解质获得的容值类似。但在相同温度200℃下，优于COG/NPO电解质的性能。HTSC在-55-200℃全温范围内提供高稳定性，温漂系数低于1%。主要优势有：
宽温范围，低温漂。（温度高达200℃）
高稳定性（电压无降额，且宽温范围内，几乎0温漂）
低漏电流（MLCC & Tantalum capacitor ?Ileak<10μA ，PICS capacitor: Ileak<1nA ）
非常低的ESR和ESR（MAX 100 pH）（MAX 400mΩ）
相关参数

参数	数值
容值	100 pF to 1ｕF
老化	0.001%/每十年
等效串联电感	 MAX 100 pH
等效串联电阻	MAX 400mΩ
绝缘电阻	50Ω min,RVDC,25℃；
20Ω min,RVDC,200℃
温度系数	<±1%  from -55℃ to  +200℃
操作温度	-55℃ to+200℃
存储温度	-70℃ to+215℃
电容厚度	MAX 400um