零漂移，HSSC中温电容器-55℃to + 150℃

HSSC高稳定性硅电容（-55℃to + 150℃）
Ipdia 高稳定性电容避免了敏感电容电路对**大容值的需求，提供了高电压操作的稳定性。其PICS（被动器件集成技术）提供了在整个电压范围和温度范围内的高稳定性。硅电容非常高的稳定性和表层绝缘阻力，延长了手机行业电池的寿命30%，该系列产品的主要优势有：
非常小的体积（标准厚度为：100um，可定制80um）
低漏电流（MLCC & Tantalum capacitor ?Ileak<10μA ，PICS capacitor: Ileak<1nA ）
高稳定性能（电压无降额，且宽温范围内，几乎0温漂）
低ESL（MAX 100 pH）和低ESR（MAX 400mΩ）

参数 数值
容值 100 pF to 1ｕF
老化 0.001%/每十年
等效串联电感 MAX 100 pH
等效串联电阻 MAX 400mΩ
绝缘电阻	100GΩ min,RVDC,25℃
温度系数	<±0.5%  from -55℃ to  +150℃
操作温度	-55℃ to  +150℃
存储温度	-70℃ to  +165℃
电容厚度	MAX 400uM